價格
電議
型號
長禾功率半導(dǎo)體檢測實驗室
品牌
長禾半導(dǎo)體
所在地
陜西省 西安市
更新時間
2025-05-19 09:51:07
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京公網(wǎng)安備 11010802023672號
電參數(shù)測試
分立器件靜態(tài)參數(shù)測試（DC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012、GJB128B-2021
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；
檢測能力：檢測*電壓：2000V 檢測*電流：200A；
試驗參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：RDSON、GFS
I-V曲線掃描
ID vs.VDS at range of VGS
ID vs.VGS at fixed VDS
IS vs.VSD
RDS vs.VGS at fixed ID
RDS vs.ID at several VGS
IDSS vs.VDS
HFE vs.IC
BVCE（O,S,R,V） vs.IC
BVEBO vs.IE
BVCBO vs.IC
VCE（SAT） vs.IC
VBE（SAT） vs.IC
VBE（ON） vs.IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF
功率模塊靜態(tài)參數(shù)測試（DC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電壓：7000V，檢測*電流：5000A
試驗參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：RDSON、GFS
開關(guān)特性測試（Switch）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電壓：4500V 檢測*電流：5000A
試驗參數(shù)：開通/關(guān)斷時間ton/toff、上升/下降時間tr/tf、開通/關(guān)斷延遲時間td(on)/td(off)、開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；
反向恢復(fù)測試（Qrr）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電壓：4500V 檢測*電流：5000A
試驗參數(shù)：反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時間Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec；
柵極電荷（Qg）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電壓：4500V 檢測*電流：5000A
試驗參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；
短路耐量（SCSOA）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電壓：4500V 檢測*電流：10000A
試驗參數(shù)：短路電流Isc、短路時間Tsc、短路能量Esc；
結(jié)電容（Cg）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗?zāi)芰Γ侯l率：0.1-1MHz、檢測*電壓：1500V；
試驗參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；
C-V曲線掃描
輸入電容Ciss-V；
輸出電容Coss-V；
反向傳輸電容Cres-V；
柵極電阻（Rg）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電壓：1500V；
試驗參數(shù)：柵極等效電阻Rg
極限能力測試
正向浪涌電流測試
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；
試驗對象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。
試驗參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i2t
雷擊浪涌
非標(biāo)
雪崩耐量測試（UIS）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；
試驗對象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電壓：4500V，檢測*電流：200A
試驗參數(shù)：雪崩能量EAS
介電性測試
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；
試驗對象：Si、SiC·MOSFET；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電壓：4500V，檢測*電流：200A
功率老煉
高溫反偏試驗（HTRB）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?150℃；電壓*5000V；
高溫柵偏試驗（HTGB）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?150℃；電壓*100V；
高溫高濕反偏試驗（H3TRB）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?/span>85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓*4500V；
功率老煉測試
試驗對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；
試驗?zāi)芰Γ簷z測*電壓：4500V，檢測*電流：200A
間歇壽命試驗（IOL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；
檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓*60V，電流*50A。
功率循環(huán)試驗（PC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；
試驗對象：IGBT模塊；
檢測能力：ΔTj=100℃，電壓*30V，電流*1800A；
熱阻測試（Riath）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；
試驗對象：各類二極管；
試驗?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻
失效分析
X-ray
◆ 人機工程學(xué)設(shè)計
◆ 編程CNC檢測及選配旋轉(zhuǎn)工裝
◆ 可實時追蹤、目標(biāo)點定位
◆ 高分辨率FPD獲高質(zhì)量圖像
◆ 配置大載物臺及桌面檢測區(qū)域
◆ X射線源：
*輸出功率：8W
光管類型：封閉式
管電壓：90kV
焦點尺寸：5μm
環(huán)境老煉
高溫存儲試驗（HTSL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?220℃；
低溫存儲試驗（LTSL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?低-70℃。
高低溫循環(huán)試驗（TC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟确秶?/span>-40℃~175℃。
溫度沖擊試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟确秶?/span>-70℃~220℃。
高溫蒸煮試驗（PCT）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 4937.4-2012?、JESD22-A110D-2010?
IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ?/span>?溫度范圍?：105℃到142.9℃之間；濕度范圍?： 75%到*RH。
壓力范圍?：0.02MPa到0.186MPa。
可焊性試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
振動試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗方法：模擬產(chǎn)品在運輸、安裝及使用環(huán)境下所遭遇到的各種振動環(huán)境影響，主要用于評定元器件、零部件及整機在預(yù)期的運輸及使用環(huán)境中的抵抗能力，以了解產(chǎn)品的耐振壽命和性能指標(biāo)的穩(wěn)定性。
鹽霧試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗方法：通過人工模擬鹽霧環(huán)境條件來考核產(chǎn)品或金屬材料耐腐蝕性能的環(huán)境試驗。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進行評價、篩選、對比，確定產(chǎn)品中潛在問題的區(qū)域和部位,發(fā)現(xiàn)質(zhì)量控制的不足,尋找設(shè)計缺陷等。